Free Electronics

О нас

Контакты

Биполярные транзисторы

Название	Структура	Напряжение коллектор-эмиттер (Vce, V)	Напряжение эмиттер-база (Veb, V)	Ток коллектора (Ie, A)	Ток базы (Ib, mA)	Коэффициент усиления (h fe)	Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce, V)	Передаточная частота (f, MHz)	Корпус (JEDEC)
BC237B	npn	50	6	0.2	200		1.2	100	TO-92
BC327	pnp	45	5	0.5			0.7	80	TO-92
BC238	npn	30	5	0.1			1.05	120	TO-92
BC337	npn	45	5	1			0.7	80	TO-92
BC338	npn	25	5	1			0.7	100	TO-92
BC517	npn - Darlington	40	10	0.500	100	30000	1.5	220	TO-92
BC546	npn	65	6	0.100	100	290	0.200	100	TO-92
BC547B	npn	45	6	0.100	100	290	0.200	100	TO-92
BC547C	npn	45	8	0.1	100	520	0.200	100	TO-92
BC550B	npn	45	5	0.1	100	290	0.900	100	TO-92
BC550C	npn	45	5	0.1	100	520	0.900	100	TO-92
BC556B	pnp	65	5	0.1	200	220 - 475	0.93	100	TO-92
BC557C	pnp	45	5	0.1	200	420 - 800	0.93	100	TO-92
BC558B	pnp	30	5	0.1	200	330	0.25	100	TO-92
BC558C	pnp	30	5	0.1	200	600	0.25	360	TO-92
BC560C	pnp	45	5	0.1	200	600	0.25	250	TO-92
BC639	pnp	80	5	1		250	0.5	200	TO-92
BC640	pnp	80	5	0.5		40 - 160	0.5	150	TO-92
2SB1326	pnp	20	6	5		120 - 390	1	120	TV2
2N3055	npn	70	7	15	7000	70	3	2.5	TO-3
BDW93C	npn - Darlington	100	8	12	200	20000	3		TO-220
BDW94C	pnp - Darlington	100	8	12	200	20000	4		TO-220
BD131	npn	45	6	6	500	40 min	0.7	60	TO-126
BD135	npn	45	5	1.5	500	40 - 250	0.5		TO-126
BD136	pnp	45	5	1.5	500	40-250	0.5		TO-126
BD137	npn	60	5	1.5	500	40 - 250	0.5		TO-126
BD139	npn	80	5	1.5	500	40 - 250	0.5		TO-126
BD140	pnp	80	5	1.5	500	40-250	0.5		TO-126
2N3773	npn	160	7	16	4000	60 min	4		TO-3 (TO-204AA)
BD243C	npn	100	5	6	2000	30 min	1.5		TO-220
BF422S	npn	250	5	0.5		50 min	0.5	60	TO-92
BF459	npn	300	5	0.3	50	80	1	90	TO-126
MJE340	npn	300	5	0.5	-	240	-	-	TO-225AA
MJE350	pnp	300	5	0.5	-	240	-	-	TO-225AA
BU208A	npn	700	10	8			1	7	TO-3
BU2520DF	npn (resistor and diode embedded)	800	10	10	6000		5	0.2	SOT199
BU2520DW	npn (resistor and diode embedded)	800	10	10	6000		5	0.2	SOT199
BU508A	npn	700	10	8			1	7	TO-218
BU508AFI	npn	700	10	8			1	7	ISOWATT-218
BU508DF	npn (diode embedded)	700	8	8	4000	30	1	7
BU2530AL	npn	800		16	10 000	12.5	5	0.1	SOT-430
MSPA42	npn	300	6	0.5		40 min	0.5	50	TO-92
MSPA56	npn	80	4	0.5		100 min	0.25	50	TO-92
MSPA92	pnp	300	5	0.5		40 min	0.5	50	TO-92

Полевые транзисторы

Название	Структура	Напряжение сток-исток (V)	Напряжение сток-затвор (V)	ток стока (A)	сопротивление сток-исток (Ohm)	входная емкость (pF)	время включения (ns)	время выключения (ns)	корпус JEDEC
BS107	MOSFET-n	200	20	0.5	14	60	6.2	12	TO-92
VN2010L	MOSFET-n	200	30	0.19	10	60	20	30	TO-92
BUK 456-200A	MOSFET-n	200	30	19	0.16	1500	180	180	TO220AB
BSP129	MOSFET-n	240		0.15					TO-220
IRF530N	MOSFET-n	100	20	15	0.11	640	27	25	TO-220AB
IRF630	MOSFET-n	200	20	9	0.4	600	50	40	TO-220AB
IRF640	MOSFET-n	200	20	18	0.18	1275	50	35	TO-220AB
IRF720	MOSFET-n	400	20	3.3	1.8	410	14	13	TO-220AB
IRF740	MOSFET-n	400	20	10	0.55	1400	24	27	TO-220AB
IRF830	MOSFET-n	500	20	4.5	1.5	610	16	16	TO-220AB
IRF840	MOSFET-n	500	20	8	0.85	1300	23	20	TO-220AB
IRF9530	MOSFET-p	100	20	12	0.3	860	52	39	TO-220AB
IRFZ24N	MOSFET-n	55	20	17	0.07	370	27	34	TO-220AB
IRFZ44N	MOSFET-n	55	20	49	0.018	1470	60	45	TO-220AB
IRFZ48N	MOSFET-n	55	20	64	0.014	1970	78	50	TO-220AB
IRFBC30	MOSFET-n	600	20	3.6	2.2	660	14	13
STP4NK60Z	MOSFET-n (Zenner protected)	600	30	4	1.8	600			TO-220AB
STP4NK60ZFP	MOSFET-n (Zenner protected)	600	30	2.5	1.8	600			TO-220AB
PHP33N10	PowerMOS-n	100	30	34	0.057	1500	18	50	TO-220AB
PHX7N60E	PowerMOS-n	600	30	3.6	.1.2	1100	31	34	SOT186A
PHP80N06T	MOSFET-n (Zenner protected)	55		75	0.012	2200	35	30	TO-220AB

Тиристоры, симисторы

Название	Максимальный уровень тока RMS (A)	Максимальное напряжение в закрытом состоянии (V)	Напряжение затвора (V)	Ток утечки (µA)	Ток удержания (mA)	Корпус
MCR-100-6	0.8	400	0.8	15	5	TO-92
ML406	0.5	400				TO-92
BT169D	0.8	400	5	20	5	TO-92
ВТ151-650R	12	650	1.4	100	7	TO-220AB
ВТ151-800R	12	800	1.4	100	7	TO-220AB
BT152-600R	20	600	5	200	15	TO-220AB
TYN616	16	600	1.3	200	40	TO-220AB

Динисторы

DB-3

Корпус: DO-35
Напряжение пробоя: 28...45 V
Ток: +/- 2 A
Мощность: 150 W

Биполярные транзисторы SMD

Название	Структура	Напряжение коллектор-эмиттер (Vce, V)	Напряжение эмиттер-база (Veb, V)	Ток коллектора (Ie,m A)	Ток базы (Ib, mA)	Коэффициент усиления (h fe)	Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce, V)	Передаточная частота (f, MHz)	Маркировка	Корпус
PZTA 42	npn	300	6	100	100	40 min	500	50		SOT223
PZTA 92	npn	300	6	100	100	40 min	500	50		SOT223
BC807-25	pnp	45	5	1200		400	0.7	50	5B.	SOT-23
BC807-40	pnp	45	5	1200		600	0.7	50	5C.	SOT-23
BC817-40	npn	45	5	1200		600	0.7	50	6C.	SOT-23
BC846A	npn	65	6	100		90	0.5	100	1A.	SOT-23
BC846B	npn	65	6	100		150	0.5	100	1B.	SOT-23
BC847A	pnp	45	6	100		90	0.6	100	1E.	SOT-23
BC847B	pnp	45	6	100		180	0.6	100	1F.	SOT-23
BC847C	pnp	45	6	100		520	0.6	100	1G.	SOT-23
BC848A	npn	30	5	100		180	0.6	100	1J.	SOT-23
BC848B	npn	30	5	100		290	0.6	100	1K.	SOT-23
BC848C	npn	30	5	100		520	0.6	100	1L.	SOT-23
BC849B	npn	30	5	100		290	0.9	100	2B.	SOT-23
BC849C	npn	30	5	100		520	0.9	100	2C.	SOT-23
BC850B	pnp	30	5	100		290	0.9	300	2F.	SOT-23
BSV52	npn	12	5	200		120	0.4	400	B2.	SOT-23
BCW33L	npn	32	5	100		800				SOT-23
BC856B	pnp	65	5	100	100	475	0.65	100	3B	SOT-23
BC857A	pnp	45	5	100	100	250	0.65	100	3E.	SOT-23
BC857B	pnp	45	5	100	100	475	0.65	100	3F..	SOT-23
BC857C	pnp	45	5	100	100	800	0.65	100	3G.	SOT-23
BC858A	pnp	30	5	100	100	250	0.65	100		SOT-23
BC858B	pnp	30	5	100	100	475	0.65	100	3K.	SOT-23
BC858C	pnp	30	5	100	100	800	0.65	100		SOT-23
BC859C	pnp	30	5	100		800	0.65	100	4C.	SOT-23
BC860B	pnp	45	5	100		450	0.65	100	4F	SOT-23
BC860C	pnp	45	5	100		800	0.65	100	4G	SOT-23
BCP53	pnp	80	5	1500	200	250	0.5	115		SOT-223
BCP54	npn	45	5	1000	200	250	0.5	130		SOT-223
BCP55	npn	60	5	1000	200	250	0.5	130		SOT-223
BCP56	npn	80	5	1000	200	250	0.5	130		SOT-223
BCP68	npn	20	5	1000		375	0.5	40		SOT-223
BCP69	pnp	20	5	1000		375	0.5	40		SOT-223
BFG19S	npn	20	3	100	12	220		5500		SOT-223
BFP67	npn	10	2.5	50				7500		SOT-223
MSPA42	npn	300	6	500		40	0.5	50	1D.	SOT-23
PMBTA42	npn	300	6	100		40	0.5	50	1D.	SOT-23
PMBTA92	pnp	300	6	100		40	0.5	50	2D.	SOT-23
2SB1132	pnp	32	5	1000		390	0.5	150	BA	SOT-23

Полевые транзисторы SMD

Название	Структура	Напряжение сток-исток (V)	Напряжение сток-затвор (V)	ток стока (mA)	сопротивление сток-исток (Ohm)	входная емкость (pF)	время включения (ns)	время выключения (ns)	Маркировка	Корпус
BF992	MOSFET-n dual gate	20		40		4			M52	SOT143
BF998	MOSFET-n dual gate	12		30		2.1			MO	SOT143
BF998R	MOSFET-n dual gate	12		30		2.1			MO	SOT143R
IRF7404	dual MOSFET-p	20	12	6700	0.06	1500	32	65		SO-8
IRF7303	dual MOSFET-n	30		4900	0.08	520	21	7.7		SO-8

Примечание. За более подробной информацией обращайтесь к даташитам производителей по названию.


	О НАС \| КАТАЛОГ \| ПРАЙС \| ДОКУМЕНТАЦИЯ \| КОНТАКТЫ
	Транзисторы, симисторы